JOB DESCRIPTION

岗位职责:

• MOSFET、IGBT等功率器件的设计与开发；
• 器件结构与工艺设计，新老产品性能优化与良率提升，器件测试与可靠性考核；
• 与晶圆代工厂和封装代工厂日常对接；
• 设计制定工艺流程和测试程序，设计流片实验方案与封装实验方案，完成编写封装规格书与芯片规格书。

职位要求:

• 本科及以上学历，微电子相关专业，有一定的英文读写水平；
• 熟悉MOSFET、IGBT、功率半导体器件的特性、内部结构、制造工艺、测试方法、应用和常见失效模式及失效机理；
• 具有扎实的半导体器件知识功底；
• 熟悉半导体工艺制造，封装及器件应用原理；
• 具有半导体功率器件设计公司或半导体晶圆代工厂TDPIE工作经验，产品设计与工艺整合经验优先；
• 有2年及以上功率半导体器件研发、测试等相关工作经验优先。

请把您的完整简历以及期望薪资发送至Bond West电子邮件：[email protected] 或通过“APPLY”按钮申请。(收集的数据仅供招聘用途)